Россия запускает производство оборудования для роста полупроводниковых кристаллов

По данным Известий, в России создана и испытана первая отечественная промышленная установка для получения кристаллов нитрида галлия на кремниевых подложках. Это одна из ключевых технологий в создании компонентов силовой и сверхвысокочастотной микроэлектроники. Транзисторы на основе нитрида галлия способны работать с высокими токами, напряжениями и при повышенных температурах. Такие устройства востребованы в машиностроении, промышленной электронике и бытовой технике. Оборудование позволяет получать структуры на подложках диаметром до 200 мм.

Россия стала четвертой страной в мире, которая будет производить оборудование такого класса. По совокупности параметров разработка превосходит зарубежные аналоги. Серийное производство техники планируется запустить в 2025 году.